▲ 전자 현미경으로 관찰된 수직형태의 플레시 메모리구조

(오레곤, 미국=뉴스와이어) 2007년01월26일-- 재미 한인 과학기술자들이 주축이 되어 미국 포틀렌드 오레곤에 설립한 반도체 벤처 회사인 BeSang Inc.(대표이사 이상윤, www.besang.com)가 새로운 고집적 3차원 플레시 메모리 기술을 성공적으로 개발했다.

이번에 개발된 플레시 메모리 기술은 기존에 사용되는 수평구조의 셀(메모리에서 정보를 저장하는 최소 단위)을 고집적이 가능한 수직구조의 셀로 배열했으며, 하나의 셀에 여러 정보를 저장할수있는 멀티비트 기술도 적용됐다. 또한 BeSang이 독자적으로 개발한 3차원 집적회로 (IC) 기술과 연결해 기존의 노어(NOR)형 플레시보다 8배 용량이 큰 플레시 메모리 칩을 생산할수있게 됐다.

BeSang의 이상윤(공학 박사) 대표이사는 “BeSang이 이번에 개발한 수직구조의 플레시 메모리는, BeSang의 3차원 IC기술에 사용될 목적으로 디자인 되고 개발되었읍니다. 메모리 기술에서 8배의 집적도 차이는 기존의 기술보다 상당히 앞서기 때문에, 반도체 산업에서 새로운 지각변동을 만들기에 충분합니다. 또한 복층 구조의 메모리를 만들고 수직으로 연속 되는 메모리 기술(Stacked-SGT)을 적용해 기존의 플레시 메모리보다 32배 집적도가 증가된 메모리 기술을 선보일 예정입니다”라고 언급했다.

수직구조의 플레시 메모리는 잘 알려진 SGT (Surrounded Gate Transistor) 기술을 바탕으로 하고, 단결정 실리콘을 사용한다. 일반적으로 널리 쓰이는 CMOS 장비와, 재료, 그리고 공정기술을 이용해 고집적화된 플레시 메모리를 제작했으며, 이러한 점이 BeSang 기술의 장점이다.

미국 Arizona 주립대학의 교수이고, 미국 전자학회의 최고 명예인 라이프 펠로우 (IEEE LIFE Fellow)이며, 세계적인 반도체 측정 평가의 권위자인 쉬로더(Dieter K. Schroder) 박사는 “BeSang의 3차원 기술은 매우 중요한 의미를 가지고 있읍니다. 왜냐하면, 잘 알려진 CMOS 제조 공정과 디바이스 기술만을 사용하여 창조적인 방법으로 제품 제조 기술을 개발하였기 때문입니다. 다른 많은 획기적인 신기술들이 상용화에 실패하는 이유는, 이들 신기술들이 지금까지 반도체에 쓰이지 않은 새로운 물질과 새로운 디바이스 개념을 도입하여 사용하려 했으며, CMOS 공장에서는 이들 기술을 이용하여 제품을 대량 생산할수있는 제조 기술이 없었기 때문입니다. 따라서, 일반적인 CMOS 기술은 비록 갈수록 생산에 많은 비용을 쓰게되기는 하지만, 아직까지 광범위하게 쓰이고 있읍니다”라고 언급했다.

일반적으로 잘 알려진 3차원 반도체 기술은 단지 여러 반도체 칩들을 하나의 페키지 안에서 쌓아서 포장하는 기술이며 휴대용 기기에 제한적으로 사용되고있다.

BeSang에서 개발한 기술은 하난의 칩에서 아래는 일반적으로 쓰이는 로직회로가 있고 위에는 수직형태의 메모리를 배치하는 기술로, 위와 아래의 디바이스 층들을 제한 없이, 자연스럽게 연결할수있다. 따라서, 이러한 고집적 3차원 기술은 반도체업계에 저렴하면서도 성능을 높이는 메모리를 제작할수있는 기술을 제공하게 된다.

BeSang의 3차원 플레시 메모리 기술은 곧 IP(지적재산) 라이센스를 통하여 반도체 회사들에 공급될 예정이다.